測試發(fā)現(xiàn)，使用

EEPROM_WRITE(StartAddr,Buffer,Length)?

寫data flash時(shí)，當(dāng)Buffer地址是用const修飾的數(shù)據(jù)時(shí)，寫入有問題。

當(dāng)去掉const修飾時(shí)，可以寫入正常。

請貴司查看下是否是bug。

您好，如果要使用const修飾的數(shù)組，可以先使用memcpy函數(shù)，將codeflash中的const數(shù)據(jù)，拷貝到ram中的數(shù)組變量，再往dataflash中寫入數(shù)組變量中的數(shù)據(jù)。

這種方式會加大ram的使用量，而使用const的目的就是為了減少ram的占用。

不確定data flash控制器是否有硬件限制，貴司能否改造EEPROM_WRITE，讓它支持flash地址讀。

您好，沒有從一塊flash直接拷貝到另一塊flash這樣的硬件功能，拷貝flash總是要經(jīng)過ram實(shí)現(xiàn)的。
如果是考慮到RAM的占用，可以寫一個(gè)子函數(shù)，在子函數(shù)中用memcpy()緩存到臨時(shí)變量中，臨時(shí)變量數(shù)組在跳出子函數(shù)后即自動(dòng)釋放。也可以用malloc()申請一塊ram，實(shí)現(xiàn)完flash拷貝后再用free()手動(dòng)釋放。申請的ram大小要看實(shí)際情況，如果ram實(shí)在緊張仍申請ram，可能會存在編譯器檢查不出的隱患。

如果希望ram占用更少，可以在子函數(shù)中用更小的數(shù)組變量或者申請更小的ram，使用更多的操作次數(shù)，用時(shí)間換空間來實(shí)現(xiàn)flash拷貝。比如說，我們flash是4字節(jié)對其的，每次只拷貝4字節(jié)，臨時(shí)變量也只需要4個(gè)字節(jié)，但是相比一次256字節(jié)的頁寫，會占用更長事件。

好的，我用臨時(shí)變量解決吧。謝謝你~