寄存器配置的負(fù)載電容如何理解
如上圖：0001b-1111b對(duì)應(yīng)13pf-27pf是不是可以理解為1個(gè)值大致對(duì)應(yīng)1pf步進(jìn)量，復(fù)位值為1100b根據(jù)公式?電容量 = RB_XT32K_C_LOAD + 12pF?即12pf+12pf=24pf，即單片機(jī)默認(rèn)負(fù)載電容配置的是24pf ？
同理32Mhz的默認(rèn)負(fù)載電容約22pf？
2.晶振的參數(shù)比如ppm? esr?負(fù)載電容等針對(duì)本款芯片應(yīng)該如何區(qū)選擇這些參數(shù)？
您好，對(duì)于問題一，可以如上理解，不過外部32M晶振對(duì)應(yīng)內(nèi)置負(fù)載電容復(fù)位值為16pf。調(diào)用HSECFG_Capacitance(HSECap_XX);可配置外部32M晶振相應(yīng)負(fù)載電容。
對(duì)于問題二，我司評(píng)估版選用的物料參數(shù)如下↓
32MHZ、10PPM、12PF
32768：20PPM、12.5PF
32M的負(fù)載電容公式中有*2所以算出來是22pf左右
這個(gè)內(nèi)部負(fù)載電容就是相當(dāng)于并聯(lián)于晶振上的負(fù)載電容嗎還是和外部負(fù)載電容一樣需要除以2才是實(shí)際并聯(lián)的電容值？
按推薦的晶振參數(shù)來看就需要配置內(nèi)部負(fù)載電容？
您好，32M晶振對(duì)應(yīng)的內(nèi)部負(fù)載電容配置寄存器相關(guān)位，復(fù)位值是3。
和外部負(fù)載電容一樣需要經(jīng)過公式計(jì)算得到晶體參數(shù)中的負(fù)載電容值。
按推薦的參數(shù)選取晶振，就不用再做配置，復(fù)位值就可以。
好的，感謝！
其它沒問題了
關(guān)于32M的是這樣的。按照手冊(cè)10pF-24pF正好對(duì)應(yīng)2pF的步進(jìn)值?按照公式2*3*2+10=22pf
步進(jìn)2pf在公式里面已經(jīng)有*2了，為什么要再*2，要是全1，2*7*2+10=38，都超過范圍了，應(yīng)該是3*2+10=16pf
