按CH32V30x的應用手冊上的介紹，擦除后讀出來的半字應該是0xe339，與平時用的Flash有所出入，平時的Flash擦除完后讀出來都是0xFF。

在移植FlashDB過程中，發(fā)現(xiàn)始終移植不成功，如下圖。

FlashDB中包含了將含1位全部寫0x00的操作（先寫入0x42，后續(xù)更改寫入0x00），而對于CH32V30x，好像并沒有這種機制。

然后下面是我的問題：

1、是否有方式可以讓CH32V30x擦除后的內(nèi)容為0xFF，以兼容一種比較標準且通用的Flash數(shù)據(jù)庫，如FlashDB；

2、擦除為0xe339，在寫入一次后是否不再可以重復修改。

也即擦除后，寫入0xFF00，再寫入0x0000的操作是否可以

你好，

問題一：擦除后芯片讀e339為芯片特性，無法改變，你也可也在你擦除后寫入ff來兼容你所說的數(shù)據(jù)庫。

問題二：flash再寫入后當然可以再次修改

似乎對于連續(xù)寫入，v203和v307好像從擦完的0xE339->0xFFFF->0xFAFA->0xAAAA->0x0000這樣連續(xù)寫沒問題，但是v208我似乎遇到了寫入可能失敗的問題，第一次修改可以，后面的可能修改不成功。請問是不是v208的flash不太一樣導致的

您好，V203、V208以及V30x系列FLASH以及相關(guān)操作都是一樣的，若你遇到寫入問題，可將可復現(xiàn)問題的例程發(fā)至我的郵箱（lzs@wch.cn），順便具體描述一下你的問題，這邊具體看一下。注意FLASH具有標準編程和快速編程兩種編程方式，使用時注意不同的解鎖方式和編程方式。