您好，我使用的是CH582_BLE_MESH工程，需要用到DataFlash存儲(chǔ)一些數(shù)據(jù)，但是每次開機(jī)數(shù)據(jù)就被清零了，估計(jì)是該存儲(chǔ)地址被占用，試了好幾個(gè)地址都是同樣的現(xiàn)象，想請(qǐng)問一下還有那塊DataFlash地址是空閑區(qū)域？謝謝
關(guān)于DataFlash這一塊，官網(wǎng)的文檔一直沒有詳細(xì)介紹一下，希望沁恒把這一塊的資料補(bǔ)全。
您好，最新EVT中，默認(rèn)使用了前12K的dataflash?？梢栽赼pp_mesh_config.h中修改宏，最小扇區(qū)數(shù)為2，最小扇區(qū)存儲(chǔ)也可以改小，小到初始化不報(bào)錯(cuò)即可。另外如果mesh代碼中使用了BLE，用到了BLE的配對(duì)綁定功能，配對(duì)綁定數(shù)據(jù)保存在dataflash的尾部，見config.h中的相關(guān)宏。
@夏季的雪您好，最新EVT中提供有FLASH例程，您可以參考例程編寫代碼。手冊(cè)中也有flash相關(guān)參數(shù)如下圖。
如果您需要其他方面的參考，或者您有其他寶貴建議，都可以提出。
dataflash使用首地址是從0x00開始還是0x70000開始，從0x00開始能正常存儲(chǔ)數(shù)據(jù)但會(huì)破壞程序正常運(yùn)行，從0x70000開始都不能正常存儲(chǔ)數(shù)據(jù)重啟數(shù)據(jù)就清零，12K以后都有試了
您好，調(diào)用庫(kù)函數(shù)EEPROM_READ/ERASE/WRITE時(shí)只需要偏移地址，不用從0x70000開始。
您是下載代碼時(shí)點(diǎn)了“清空dataflash”嗎，“重啟”是指調(diào)用節(jié)點(diǎn)reset之后嗎。
借地問一下，582的DataFlash是否需要注意壽命問題？
您好，使用壽命需要結(jié)合代碼的擦寫頻次考慮，手冊(cè)中有擦寫次數(shù)典型值。如果說保存比較頻繁，在應(yīng)用層代碼中可以使用多扇區(qū)管理的方式，交替使用n塊flash來延長(zhǎng)壽命。
