CH32V307使用480Mbps高速USB作為設(shè)備，開啟EP1OUT端點的ISO同步接收模式，現(xiàn)在每個微幀傳輸數(shù)據(jù)量大于1024字節(jié)，需要每個微幀發(fā)包2次，是不是需要用到雙緩沖保證有足夠的的時間取回數(shù)據(jù)？手冊里面ISO傳輸雙緩沖區(qū)沒有看明白。

您好，關(guān)于雙緩沖區(qū)，可以具體看一下注解那部分，當(dāng)開啟同步后，對于同步IN端點，發(fā)送緩沖區(qū)和接收緩沖區(qū)都被用作發(fā)送緩沖區(qū)發(fā)送數(shù)據(jù)，對于同步OUT端點，發(fā)送緩沖區(qū)和接收緩沖區(qū)都被用作接收緩沖區(qū)接收數(shù)據(jù)。關(guān)于傳輸數(shù)據(jù)量大于1024字節(jié)時，程序中自己設(shè)置一個環(huán)形緩沖區(qū)之類應(yīng)該也是可以的。

那是不是相當(dāng)于，如果想用雙緩沖，那么每個端點就不能同時使用發(fā)送和接收功能？

比如0x01 和0x81就不能同時使用。就要使用0x01 和 0x82 這樣的組合實現(xiàn)輸入輸出？

您好，可以這么理解的

我可以軟件實現(xiàn)雙緩沖嗎？ 在中斷里，接收到一個包后，把RX_DMA的地址更改可以嗎？還是說如果下一個包已經(jīng)在傳輸?shù)倪^程更改RX_DMA的用法會出錯？

這個USB外設(shè)是直接把接收數(shù)據(jù)寫入sram嗎？還是自身帶有一個緩沖區(qū)，只有在上一個包的中斷處理完之后，才會把下一個包的數(shù)據(jù)通過DMA寫入sram？

謝謝。

Q1:我可以軟件實現(xiàn)雙緩沖嗎？ 在中斷里，接收到一個包后，把RX_DMA的地址更改可以嗎？

A:可以。

在中斷里，代表著接收完成或者發(fā)送完成一個數(shù)據(jù)包，此時可以修改EP?_TX/RX_DMA寄存器的值，來修改下一次傳輸數(shù)據(jù)包存取的位置（注意起始地址4字節(jié)對齊），這樣下一次傳輸就會對新配置的RAM區(qū)域進行讀寫，能夠加快USB事務(wù)處理速度，避免緩沖區(qū)的重用（另一個外設(shè)的訪問）。用這個方式，可以實現(xiàn)“動態(tài)”緩沖區(qū)，不僅僅是雙緩沖，1024字節(jié)一個包，可以盡可能的用盡RAM，做一個環(huán)形緩沖區(qū)。

Q2:還是說如果下一個包已經(jīng)在傳輸?shù)倪^程更改RX_DMA的用法會出錯？

A:上述通過在中斷中修改EP?_TX/RX_DMA寄存器的操作，需要確保在傳輸完成中斷產(chǎn)生之后，配置下一次事務(wù)的ACK應(yīng)答狀態(tài)之前，這個時間段內(nèi)切換是沒有錯的。此外任何時間都不應(yīng)該去修改。

這種切換方式應(yīng)當(dāng)被絕大部分的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)應(yīng)用采用，極力避免或盡可能減少memcpy之類的操作。

Q3:這個USB外設(shè)是直接把接收數(shù)據(jù)寫入sram嗎？還是自身帶有一個緩沖區(qū)，只有在上一個包的中斷處理完之后，才會把下一個包的數(shù)據(jù)通過DMA寫入sram？

A:無需糾結(jié)外設(shè)自身、DMA、RAM之間的交互關(guān)系，只需要記住芯片產(chǎn)生傳輸完成中斷之后，數(shù)據(jù)已經(jīng)存放于RAM中，或者已經(jīng)從RAM中全部讀取走了。即簡單說芯片處在某個端點的傳輸完成中斷中的時候，通常該端點的RAM（EP?_TX/RX_DMA寄存器中配置的）是被釋放的狀態(tài)，因為事務(wù)已經(jīng)結(jié)束。

你好，硬件的雙緩沖怎么實現(xiàn)自動切換緩沖區(qū)？如果每次都要在USB中斷里面切換緩沖區(qū)，那開不開雙緩沖就沒區(qū)別了。