CH579M? 數(shù)據(jù)FLASH內(nèi)只能寫(xiě)一個(gè)雙字，再寫(xiě)下一個(gè)地址雙字?jǐn)?shù)據(jù)無(wú)法寫(xiě)入，使用庫(kù)文件中的寫(xiě)數(shù)據(jù)函數(shù)！

寫(xiě)入的雙字無(wú)法擦除，無(wú)論重寫(xiě)還是擦除，內(nèi)部數(shù)據(jù)仍在！

? 程序如下：

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? MEM_MACADDR ： 0x3ee10

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?memdata[0] = PeerAddrDef[0]+((uint32_t)PeerAddrDef[1]<<8)+((uint32_t)PeerAddrDef[2]<<16)+? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?((uint32_t)PeerAddrDef[3]<<24);

memdata[1] = PeerAddrDef[4]+((uint32_t)PeerAddrDef[5]<<8)+(UINT32)0x55cc0000;

memdata[2] = 0x33445566;

memdata[3] = 0x33445566;

ptr = memdata;

ENTRY_LRNST = 0x55;

FlashBlockErase(MEM_MACADDR);

FlashWriteBuf(MEM_MACADDR,ptr,16);

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?有勞指點(diǎn)?。。。?！

另說(shuō)明一下：

? ? ? ? ? ? ? ? ? 對(duì)程序每一次雙字?jǐn)?shù)據(jù)寫(xiě)入跟蹤！每次都 是成功的，但讀出仍是原數(shù)據(jù)！?。?！

flash擦的起始地址需要512字節(jié)對(duì)齊，MEM_MACADDR ： 0x3ee10設(shè)置為3ee00試試。

試了！結(jié)果數(shù)據(jù)寫(xiě)都不能寫(xiě)進(jìn)了！真奇了！0x3e800-0x3ffff 不是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域？？？

寫(xiě)入數(shù)據(jù)當(dāng)前寫(xiě)入只有每一個(gè)字（4byte），重上電數(shù)據(jù)變成0xffffffff, ???????????

0x3e800-0x3ffff 是dataflash區(qū)域，可以掉電保存的，

如果仍然不可以，建議先跑下例程。

抱歉了！掉電不保存是因?yàn)槲壹恿松想姴脸绦蛞穑〉荒軣粋€(gè)字是什么原因，是否連續(xù)燒寫(xiě)需加延時(shí)1.6mS？

檢查讀過(guò)flash之后寫(xiě)的時(shí)候有沒(méi)有將地址修改回你想操作的起始地址，將你的工程發(fā)到hy@wch.cn,我?guī)湍憧聪掳伞?/p>

工程已發(fā)！存儲(chǔ)問(wèn)題是地址問(wèn)題（32位地址指針+4了，應(yīng)+1）！但還有另一個(gè)問(wèn)題有勞瞅一下！?。。。?/p>