有清零寄存器，R32_PA_CLR，應(yīng)該有一個(gè)對(duì)應(yīng)的設(shè)置寄存器R32_PA_SET才對(duì)。

高速操作IO的時(shí)候，讀入R32_PA_OUT修改再寫(xiě)入效率是十分低下的。直接寫(xiě)入效率高得多，現(xiàn)在問(wèn)題是設(shè)置低電平可以直接寫(xiě)入R32_PA_CLR，高電平?jīng)]有對(duì)應(yīng)的R32_PA_SET寄存器，只能讀取R32_PA_OUT修改再寫(xiě)入，效率非常低下。

謝謝你建議, 后面這類(lèi)芯片,會(huì)加入專(zhuān)用的GPIO SET 寄存器.

更好的方法是支持bit-banding操作，把GPIO直接映射到某個(gè)地址中去，類(lèi)似C51的位尋址。

M3和M4都是支持的。