你好

請問CH573在交付客戶之前，除了要調(diào)整晶振負(fù)載電容的寄存器，還需要調(diào)整哪些值？另外調(diào)整負(fù)載電容的時候，請問是需要測量2.4G輸出的頻率，還是直接測量晶振的輸出腳就可以？

調(diào)整頻偏，可以調(diào)整高頻晶振的匹配電容，提供的接口函數(shù)如下，上電以后在main函數(shù)開頭調(diào)用1次即可

/*******************************************************************************
* Function Name? : HSECFG_Capacitance
* Description??? : HSE晶體 負(fù)載電容配置
* Input????????? : c: refer to HSECapTypeDef
* Return???????? : None
*******************************************************************************/
void HSECFG_Capacitance( HSECapTypeDef c )
{
??? UINT8? x32M_c;
???
??? x32M_c = R8_XT32M_TUNE;
??? x32M_c = (x32M_c&0x8f)|(c<<4);
???
??? R8_SAFE_ACCESS_SIG = SAFE_ACCESS_SIG1;??
??? R8_SAFE_ACCESS_SIG = SAFE_ACCESS_SIG2;?
??? R8_XT32M_TUNE = x32M_c;
??? R8_SAFE_ACCESS_SIG = 0;
}

內(nèi)置電容默認(rèn)值是16pF,可調(diào)范圍10-24pF，超出此范圍外，只能通過外部硬件進(jìn)行調(diào)整。

調(diào)整方法可以直接測量晶體震蕩，也可以通過RF的頻偏進(jìn)行偏差判斷，然后進(jìn)行調(diào)整。

批量的板子因?yàn)槲锪虾蚉CB硬件雷同，所以一般比如用5-10個板子測一個比較合理的值，然后再PCB工藝和硬件不變更的情況，使用此參數(shù)即可，如果硬件有改動，最好重新再匹配一下。