請教：我用375B，自己處理的FAT32 仿真時(shí)，效果極好，寫了幾百個(gè)文件也沒問題 燒上片子運(yùn)行就時(shí)對(duì)時(shí)錯(cuò) 有時(shí)能正常建立文件 有時(shí)寫錯(cuò)，我檢查發(fā)現(xiàn)其中讀出FAT表扇區(qū)內(nèi)容經(jīng)常出錯(cuò)（錯(cuò)的不離譜，看得出是fat表），也有對(duì)的時(shí)候，可能讀別的扇區(qū)（比如FDT扇區(qū)），也有類似情況。把錯(cuò)誤的扇區(qū)寫回U盤 當(dāng)然計(jì)算機(jī)會(huì)提示“目錄或文件表損壞” 仿真器上就沒有過這種情況（我試了好多U盤） 請問大家為何會(huì)這樣？ 碰到這情況如何著手解決？

那你說的現(xiàn)象無非和RAM或者硬件干擾還有讀寫速度有關(guān)系。 脫機(jī)運(yùn)行的時(shí)候，讀寫物理扇區(qū)會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤嗎？ 您可以用CH376來替換。

請問RAM或者硬件干擾還有讀寫速度有關(guān)系該如何解決？ 我用屏蔽線也不行 電路板是按照貴公司的文檔要求做的，其余還能怎么抗干擾？加大電容？ 我晶振是12兆的 讀扇區(qū)速度應(yīng)該加快還是減慢？ 脫機(jī)運(yùn)行就是指燒寫上片子運(yùn)行吧？ 此時(shí)就是時(shí)對(duì)時(shí)錯(cuò)

分開測試 你只讀寫物理扇區(qū)會(huì)有問題嗎？

是的，如果上了片子 讀出FAT表扇區(qū)顯示在屏幕上 發(fā)現(xiàn)：LBA地址一直是正確的 而扇區(qū)正確的幾率只有40％ 當(dāng)然仿真時(shí)是百試百靈的

分析錯(cuò)誤的話，一般USB通訊時(shí)沒有什么問題的，底層有CRC校驗(yàn)。 另外就是MCU和CH375通訊出現(xiàn)問題了。 從你反映的現(xiàn)象分析，如果CH375和U盤之間通訊有問題，很有可能會(huì)產(chǎn)生你說的現(xiàn)象。因?yàn)镃BW是CH375傳輸?shù)摹? 當(dāng)然你這個(gè)問題可以用USB分析儀來看，看看CH375和U盤的通訊是否存在問題。 仿真器和上片跑，應(yīng)該是上片跑速度更快些?？赡苓€有其他的區(qū)別。你時(shí)序放慢些是否還有問題？

您好關(guān)于“仿真器和上片跑，應(yīng)該是上片跑速度更快些?？赡苓€有其他的區(qū)別。你時(shí)序放慢些是否還有問題？” 想問下放慢時(shí)序是指在讀扇區(qū)子程序中多加延時(shí)嗎？ 具體加在哪里？2US夠不夠用 我燒傷片子后發(fā)現(xiàn)只在開頭，和兩次讀出并判斷375中斷狀態(tài)使延時(shí)幾百毫秒就行（即仿真器上正常，上片跑只有40%），如果不加則讀扇區(qū)時(shí)，U盤一直閃爍無法通過 其余處加不加不影響 到底該怎么加，加哪里，加多長延時(shí)？ 盼望指教

不是的，就是讀寫函數(shù)，對(duì)CH375的讀寫速度。不是扇區(qū)讀寫。要不你把程序發(fā)給我來看看吧，下面有我的郵件地址

就是對(duì)375命令口和數(shù)據(jù)口的讀寫嗎？ 我馬上發(fā)來，麻煩看看