沁恒公司的技術(shù)人員： 你們好！ 我想咨詢一下CH452中的地址線ADDR的連法和上拉電阻問(wèn)題。 1.看了技術(shù)手冊(cè)得知，地址線ADDR在一個(gè)MCU接雙CH452的時(shí)候?yàn)榘褍蓚€(gè)芯片的地址區(qū)分開(kāi)來(lái)而設(shè)的；其中一個(gè)芯片接高電平，一個(gè)接低電平，在SDA發(fā)送地址的時(shí)候把ADDR的電平發(fā)進(jìn)去，從而把兩個(gè)芯片區(qū)分開(kāi)來(lái)。我的問(wèn)題是我現(xiàn)在只接一個(gè)CH452A，按照這樣的理解，也就是這個(gè)ADDR既可以接高電平，也可以接低電平，只是在SDA發(fā)送地址的時(shí)候和所接的電平匹配即可，請(qǐng)問(wèn)這樣理解對(duì)不對(duì)？雖然高低電平都可以，個(gè)人感覺(jué)最好還是接地（低電平），一方面可以避免高電平輸入帶來(lái)的干擾，另一方面可以減少功耗（雖然很少），這樣理解對(duì)吧？這時(shí)第一個(gè)問(wèn)題。 2.第二個(gè)問(wèn)題是關(guān)于上拉的問(wèn)題，技術(shù)手冊(cè)中說(shuō)CH452中的SDA、SCL、INT（開(kāi)漏）、ADDR都是內(nèi)部帶上拉的，這個(gè)上拉可以替代MCU外部的上拉嗎？如果單片機(jī)外接上拉電阻，CH452內(nèi)部也接上拉，在單片機(jī)輸入0電平的時(shí)候勢(shì)必會(huì)造成輸入電流過(guò)大，容易損壞單片機(jī)的IO口

您好,對(duì)您的問(wèn)題做以下答復(fù): (1)關(guān)于ADDR您的理解可以說(shuō)是正確的,功耗接低應(yīng)該是增大一點(diǎn),不過(guò)不會(huì)很大,因?yàn)閮?nèi)置的上拉比較大,這樣電流很小; (2)不可以取代的,因?yàn)閮?nèi)部的是弱上拉,相對(duì)于外部的上拉要大的多,所以相比之下外部的可以理解為強(qiáng)上拉. 關(guān)于電流的問(wèn)題您的理解不完全對(duì),確實(shí)是會(huì)造成電流過(guò)大,但是這個(gè)電流并不是SDA或者SCL上的電流,而是芯片的總電流,其實(shí)并不會(huì)損壞單片機(jī)的IO口,可以簡(jiǎn)單的算一下,比如外部接4.7K的上拉,相對(duì)外部,內(nèi)部的可以忽略,外部上拉到5V,5/4.7大約為1MA,1MA對(duì)于單片機(jī)來(lái)說(shuō)是沒(méi)有影響.

哦，明白了！ 謝謝回復(fù)！