求助:Ch375主機(jī)模式,有時(shí)無(wú)法寫數(shù)據(jù)。沒有重復(fù)性。

求助:Ch375主機(jī)模式,有時(shí)無(wú)法寫數(shù)據(jù)。沒有重復(fù)性。

在主機(jī)模式下,建立新文件,然后向文件中寫入512數(shù)據(jù)。發(fā)現(xiàn),有時(shí)候正確,新建的文件里面有正確數(shù)據(jù)。有時(shí)候錯(cuò)誤,文件每次都可以成功創(chuàng)建,但是里面數(shù)據(jù)是空的。試了很多次,頻繁出現(xiàn)錯(cuò)誤。這是為什么呀?哪位前輩遇到過(guò)類似問(wèn)題,請(qǐng)指點(diǎn)。多謝了。

代碼如下: if(CH375DiskStatus == DISK_CONNECT) { i=CH375DiskReady(); if(i==ERR_SUCCESS) { strcpy(mCmdParam.Create.mPathName,"/DATA.TXT"); CH375FileCreate(); mCmdParam.Locate.mSectorOffset=0xffffffff; CH375FileLocate(); mCmdParam.Write.mSectorCount=1; CH375FileWrite(); CH375FileClose(); } } while(1) {}

ding. please help me~~~


創(chuàng)建文件之后是不需要在用LOCATE的函數(shù)的,可以直接的調(diào)用寫函數(shù),如果數(shù)據(jù)有錯(cuò)誤的話,你可以檢查下你的文件緩沖區(qū)


多謝,我調(diào)試一下看看。


還是有毛病


那你先在你寫進(jìn)去數(shù)據(jù)的時(shí)候先將RAM里面的數(shù)據(jù)檢測(cè)下看是不是你要寫的數(shù)據(jù),或者在一開始操作的時(shí)候就進(jìn)行下RAM的測(cè)試


我用的是片內(nèi)XRAM。 有時(shí)候有問(wèn)題,有時(shí)候就沒問(wèn)題,好像拔u盤晚一些就可能正常。拔得快一些就會(huì)錯(cuò)誤。


這個(gè)可能是由于U盤的寫延時(shí)造成的,U內(nèi)部先緩存一部份數(shù)據(jù)(例如16K),緩存滿了以后才會(huì)真正寫到FLASH。 你在關(guān)閉文件后,延時(shí)幾十個(gè)毫秒。


延時(shí)了,不管用,再說(shuō)了,就算拔得再快,那也是關(guān)閉文件幾秒鐘后才拔的。


郁悶


實(shí)際可以這樣操作,一般的U盤在操作的時(shí)候,U盤的燈都會(huì)在閃爍,當(dāng)你操作完成之后,你可以去看下U盤的燈是否還在閃爍,如果還在閃爍的話,建議你不要拔出U盤,直到U盤的燈不在閃爍了在拔下來(lái)就可以了,還有就是在你對(duì)U盤的所有操作完成之后,等待U盤拔出的前面,你可以去打開一個(gè)隨即的文件,這個(gè)文件可以不存在,實(shí)際就是重新的讀寫U盤的物理扇區(qū),強(qiáng)制的要求U盤來(lái)更新數(shù)據(jù),這樣的話可以減少U盤寫延時(shí)的時(shí)間。實(shí)際這個(gè)問(wèn)題并不是我們芯片的問(wèn)題,而是U盤本身的問(wèn)題。


好的 我再試試。


問(wèn)題解決了,usb供電有問(wèn)題。我剛開始試的時(shí)候是用帶mp3功能的u盤試的,里面有電池,在傳輸數(shù)據(jù)時(shí)電壓波動(dòng),有時(shí)usb總線復(fù)位,出現(xiàn)錯(cuò)誤。單獨(dú)供電后就正常了。謝謝大家的幫忙。


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