[size=4]請問CH372單片機端，是否單片機給read或write引腳給一個低電平單片機就能讀取或?qū)懗鲆粋€字節(jié)。是低電平觸發(fā)呢還是下降沿觸發(fā)？高手請幫我確認一下。[/size][Emot]27[/Emot]

讀寫一個字節(jié)有讀時序和寫時序,也就是說還有片選CS#,地址線A0有關(guān). 讀寫信號線是低電平有效.

[size=4]CH372單片機端具體是怎樣控制達到一字節(jié)一字節(jié)的讀寫數(shù)據(jù)的？也就是說時序是怎樣的，請具體一點講。

好比說先令A0=1（現(xiàn)在可以寫命令了 且CS=0）, 再令8位數(shù)據(jù)總線=28H（從當前USB中斷的端點緩沖區(qū)讀取數(shù)據(jù)塊并釋放當前緩沖區(qū)命令代碼 假設(shè)已獲取下傳成功中斷）， 再令WR=0（將命令數(shù)據(jù)寫入了CH372 僅一字節(jié)）， 再令A0=0（現(xiàn)在可以讀寫數(shù)據(jù)了）， 再先令WR=1后令RD=0（從CH372讀取第一字節(jié) 后續(xù)數(shù)據(jù)流長度）， 再先令RD=1后令RD=0（從CH372讀取第一字節(jié)數(shù)據(jù)）， 再先令RD=1后令RD=0（從CH372讀取第二字節(jié)數(shù)據(jù)）， ……

不知道我說的是否正確，請高人指點！ [/size][Emot]9[/Emot]

模擬并口的三個讀寫子程序你可以參考下面的時序：

寫命令： 向并口輸出數(shù)據(jù)、A0=1 ；注意，A0一定要在CS和WR變化之前 CS=0和WR=0 延時幾十納秒 CS=1和WR=1 I/O禁止輸出、A0=0 ；注意，A0一定要在CS和WR變化之后，建議操作完后的A0默認為低電平 延時2um

寫數(shù)據(jù)： 向并口輸出數(shù)據(jù)、A0=0 CS=0和WR=0 延時幾十納秒 CS=1和WR=1 ；如果A0默認為低電平，則一定要注意，A0不能早于CS和WR為高電平 I/O禁止輸出 延時2um

讀數(shù)據(jù)： 并口I/O方向設(shè)為輸入 A0=0 ；注意，A0一定要在CS和WR變化之前，如果A0默認為低電平則此處可省掉 CS=0和RD=0 延時幾十納秒 ；對于低速單片機無所謂，對高速單片機很關(guān)鍵，要讓并口有20nS的準備時間 從并口輸入數(shù)據(jù) CS=1和RD=1 延時1um