測(cè)試環(huán)境：

????????室溫33℃；供電由穩(wěn)壓電源提供3.3V；電流檢測(cè)為合宙CC電流表。

測(cè)試數(shù)據(jù)：

????????LowPower_Sleep(RB_PWR_RAM2K);睡眠電流大約1.7uA

????????LowPower_Sleep(RB_PWR_RAM24K);睡眠電流大約3.4uA

????????LowPower_Sleep(RB_PWR_RAM2K | RB_PWR_RAM24K);睡眠電流大約3.7uA

????????LowPower_Sleep(RB_PWR_RAM2K | RB_PWR_RAM24K | RB_XT_PRE_EN);睡眠電流大約3.8uA

????????LowPower_Shutdown(0); 下電模式，電流大約0.8uA

CC表補(bǔ)償電流 -0.1uA

硬件電路：

測(cè)試程序：

/* 休眠函數(shù) */

__HIGH_CODE

void MCU_Sleep()

{

? ? LowPower_Sleep(RB_PWR_RAM2K | RB_PWR_RAM24K | RB_XT_PRE_EN);//進(jìn)入睡眠RB_PWR_RAM2K | RB_PWR_RAM24K | RB_XT_PRE_EN

? ? HSECFG_Current(HSE_RCur_100); // 降為額定電流(低功耗函數(shù)中提升了HSE偏置電流);

}

__HIGH_CODE

int main()

{

? ? //PWR_DCDCCfg(ENABLE);

? ? SetSysClock(CLK_SOURCE_PLL_48MHz);

? ? GPIOA_ModeCfg(GPIO_Pin_All, GPIO_ModeIN_PU);

? ? GPIOB_ModeCfg(GPIO_Pin_All, GPIO_ModeIN_PU);

? ? DelayMs(10);

? ? MCU_Sleep();

? ? //LowPower_Shutdown(0); //全部斷電，喚醒后復(fù)位

}

查看測(cè)試的功耗結(jié)果和手冊(cè)標(biāo)注差距在1ua左右，這個(gè)理論上是沒(méi)有問(wèn)題的，符合測(cè)試的結(jié)果。

進(jìn)一步降低芯片本身的功耗可以查看以下注意點(diǎn)：

1、焊接，芯片背面的共地效果對(duì)功耗可能會(huì)有影響，需要共地良好；

2、溫度，即測(cè)試的溫度。

針對(duì)這種功耗差距，建議在使用時(shí)注意喚醒的滿載功耗或工作時(shí)長(zhǎng)。

謝謝解答