我使能HAL_KEY后，程序就不會(huì)再進(jìn)入函數(shù)

CH58X_LowPower();了，難道是我按鍵掃描耗時(shí)太長了嗎，，有什么方法可以看到每個(gè)tmos循環(huán)中執(zhí)行完所有事件耗時(shí)嗎

建議參考PM例程，使用GPIO中斷的方式檢測按鍵。

如果一定要用TMOS系統(tǒng)自帶的按鍵檢測，可以參考博客：在TMOS系統(tǒng)中添加按鍵檢測功能 - JayWell - 博客園 (cnblogs.com)

上述兩種方式，一種對(duì)應(yīng)GPIO喚醒，另一種對(duì)應(yīng)RTC喚醒，都是可以在使能HAL_SLEEP的情況下進(jìn)休眠的。

如何判斷沒有進(jìn)入CH58X_LowPower函數(shù)的，是在CH58X_LowPower中添加了串口打印嗎？如果是每次進(jìn)入CH58X_LowPower函數(shù)都立即return了，執(zhí)行不到sleep休眠，可能是按鍵掃描頻次太高或是TMOS事件阻塞太久。

如果是一次都沒有進(jìn)入CH58X_LowPower，注意查看HAL_SLEEP宏有沒有配置好。

HAL_SLEEP定義了，使能按鍵就不打印，關(guān)掉按鍵就可以打印這句

我設(shè)置了每次循環(huán)都執(zhí)行一次key事件，即使這個(gè)事件中沒有任何操作，也不會(huì)進(jìn)入CH58X_LowPower()

如果設(shè)置為每10次執(zhí)行一次key事件，就可以正常進(jìn)入CH58X_LowPower()了。

按理來說如果key事件內(nèi)沒有任何操作的話，不是幾乎一瞬間就執(zhí)行完的嗎，怎么會(huì)影響到進(jìn)入睡眠呢

周期單位給1，太快了。協(xié)議棧是時(shí)間執(zhí)行完畢后沒有事件了，才會(huì)執(zhí)行CH58X_LowPower接口；并且CH58X_LowPower接口里也會(huì)有判斷，距離下一次事件的間隔小于1ms，不會(huì)休眠。

針對(duì)休眠+鍵掃的功能，用HAL_KEY高頻次執(zhí)行事件的方案太浪費(fèi)了，參考鍵盤方案中的邏輯比較合適：用GPIO中斷來檢測是否有按鍵被按下；按下后短時(shí)間內(nèi)，使用idle等級(jí)的休眠，加快連續(xù)按鍵之間的反應(yīng)速度；判斷長時(shí)間沒有按鍵按下了，再用sleep休眠。

懂了，另外ch583芯片除了手冊(cè)和藍(lán)牙開發(fā)說明，還有更詳細(xì)的手冊(cè)嗎，感覺這兩個(gè)內(nèi)容不夠全

需要哪些資料呢？針對(duì)具體問題，網(wǎng)上有不少博主寫過攻略；另外論壇的往期帖子也可以參考，右上角搜索一下關(guān)鍵字。

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