現(xiàn)象:使用CH32x035-F8U6芯片進(jìn)入待機(jī)模式,電流2.6mA,電流過(guò)高;
測(cè)試情況:
測(cè)試板子用的是VCC電壓5V,啟用了USB功能,對(duì)比Standby_Mode例程,發(fā)現(xiàn)測(cè)試程序初始化時(shí),USBFS_Device_Init(enable,...)函數(shù)里面會(huì)將AFIO->CTLR寄存器的USB_PHY_V33清0,啟用LDO降壓功能,會(huì)導(dǎo)致進(jìn)入待機(jī)模式電流過(guò)高;
嘗試在USBFS_Device_Init(enable,...)函數(shù)里面不啟用LDO降壓功能,進(jìn)入待機(jī)模式后電流下降到70uA;
判定待機(jī)高電流是啟用LDO降壓功能引起的;
嘗試在進(jìn)入待機(jī)模式時(shí)調(diào)用USBFS_Device_Init(disable,...)函數(shù),并將AFIO->CTLR寄存器的USB_PHY_V33置1,無(wú)法降低待機(jī)電流;
問(wèn)題:以上情況如何降低待機(jī)電流?