我看到例程中對dataflash操作是利用EEPROM_READ、EEPROM_ERASE、EEPROM_WRITE三個函數(shù)，針對這三個函數(shù)我有如下疑問：

1：dataflash的本質(zhì)還是flash，是否存在頁的概念？尤其是擦除和寫的操作是，寫入的數(shù)據(jù)長度必須是頁的整數(shù)倍嗎？還是的確做到了像EEPROM一樣，可以單字節(jié)進行操作，不需要先將數(shù)據(jù)預(yù)存到RAM中。

2：函數(shù)說明無論讀取、擦除和寫入數(shù)據(jù)，輸入地址必須是4的整數(shù)倍，則輸入的數(shù)據(jù)長度是否必須是4的整數(shù)倍？

3：利用EEPROM_WRITE寫入數(shù)據(jù)的時候，是否必須先要調(diào)用EEPROM_ERASE函數(shù)擦除一下。

您好，總的來講，在應(yīng)用層代碼中，dataflash的flash特性體現(xiàn)在擦除上，讀/寫都可以按EEPROM的特性操作。

①也是有頁的，體現(xiàn)在擦除接口中，至少擦256字節(jié)，即按頁擦除。在讀/寫時，對應(yīng)用層來講，和EEPROM的使用一致，可以單字節(jié)讀/寫。

②讀/寫接口中的起始地址按接口注釋，要求4字節(jié)對齊。擦除地址要求256字節(jié)對齊，即按頁對齊。讀/寫長度都可以做到單字節(jié)。

③若寫入的目標地址中已有數(shù)據(jù)，則必須要擦除。由于可以單字節(jié)操作，若寫入的目標地址已經(jīng)是擦除狀態(tài)，即硬件層flash中全1，是可以直接寫的。

下方代碼舉例：