1? CH582M 的最高系統(tǒng)時(shí)鐘頻率是多少？80MHz?

2? CH582M 的手冊(cè)中說(shuō)TMR 的中斷標(biāo)志寄存器(R8_TMRx_INT_FLAG) 中的 RB_TMR_IF_FIFO_OV FIFO 溢出 是什么意思？ R8_TMRx_FIFO_COUNT，F(xiàn)IFO 內(nèi)數(shù)據(jù)計(jì)數(shù) 是什么意思？

3? TMR 的 DMA 怎么用？有例程嗎？

4? 啟用 DC-DC 時(shí)，需要外接的電感有什么要求？

5? 支持外部有源振蕩器嗎？如何設(shè)置寄存器？

6? CH582M 的開發(fā)板的無(wú)源振蕩器沒有接地電容，是在芯片內(nèi)置了，還是振蕩器內(nèi)置了接地電容。

7? 用 WCH-Link 接CH582M開發(fā)板，開啟兩線調(diào)試接口后，第一次燒錄程序，總是提示“開發(fā)板芯片狀態(tài)錯(cuò)誤”，而無(wú)法燒錄，第二次才可以。

8? 用 WCH-Link 接CH582M開發(fā)板，WCH-LinkUtility 為什么無(wú)法勾選 “Disable(Enable) MCU Code Read-Protect”（灰色的）。

9? 能用WCH-LinkUtility 開啟兩線調(diào)試接口嗎？

10 可以像keil那樣設(shè)置成調(diào)試后自動(dòng)運(yùn)行到main函數(shù)開始嗎？

11 CH582M 的定時(shí)器有 PWM 輸入功能嗎？

12 CH582M 沒有看門狗功能？

13 不焊晶振，VDCID和VSW的電壓正常嗎？

1.ch582m最高系統(tǒng)主頻時(shí)80Mhz，

2.FIFO溢出（捕捉模式FIFO 滿或PWM模式FIFO 空）標(biāo)志位，寫1清零，FIFO內(nèi)數(shù)據(jù)計(jì)數(shù)，最大值8，可以查了fifo使用情況，

3.有TMR例程可供參考，

4.電感需要22uH 電阻2歐姆以內(nèi)，電流大于100ma，

5.支持有緣晶體，無(wú)需配置，

6.無(wú)緣32M晶體推薦參數(shù)32M 10/12PF 10PPM 內(nèi)置多檔可調(diào)節(jié)匹配電容，

7.可以使用最新的MRS測(cè)試看看，我這邊沒有復(fù)現(xiàn)此問(wèn)題，

8.ch582m沒有讀保護(hù)配置的功能，

9.不可以，只可以使用isp工具開啟

10.將圖片中紅框中內(nèi)容修改為main

11.有的，可參考TMR例程，

12.有看門狗功能，具體配置可參考此博客：https://www.cnblogs.com/debugdabiaoge/p/15770300.html

13.ch582m是必須外接32M高頻晶體的，

6.無(wú)源32M晶體是在CH582M芯片內(nèi)置?多檔可調(diào)節(jié)匹配電容？

13.ch582m是必須外接32M高頻晶體，VDCID和VSW的電壓才正常？不接32M高頻晶體，VDCID和VSW的電壓就不對(duì)？

至于3.?TMR 的 DMA? 和11. CH582M 的定時(shí)器PWM 輸入功能，是在CH583EVT軟件包中嗎？我仔細(xì)看看。

ch582m沒有讀保護(hù)的功能？不能加密？

能確定：VDCID和VSW的電壓正常，就說(shuō)明32M高頻晶體焊接無(wú)誤？

內(nèi)置可配置的匹配電容

VDCOD和VSW電壓正常，無(wú)法說(shuō)明晶體焊接無(wú)誤，如果確保其他都正常，可以用示波器測(cè)量下晶體管腳，

ch58x，isp工具下載是支持填入寫保護(hù)地址，

那我用內(nèi)置了接地電容振蕩器是否晶振就不容易起振了？

BOOT腳拉低加電后，多長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)入正常程序？

匹配電容與晶體要求不一致，會(huì)導(dǎo)致晶體頻偏較大，

boot腳拉低若只是加電，會(huì)在boot程序中停留10s后運(yùn)行用戶程序，如用usb供電，另一端接電腦，那么會(huì)停留60s后運(yùn)行用戶程序，

如用usb供電，另一端接電腦，那么會(huì)停留60s后運(yùn)行用戶程序。

得接D+,D- 吧？

是的，如果沒有數(shù)據(jù)線，電腦沒有設(shè)別usb設(shè)備，也同樣是10s。

運(yùn)行 WchIspStudio后，選了多個(gè)目標(biāo)程序文件下載后會(huì)出現(xiàn)什么情況？

ISP工具是支持同時(shí)下載多個(gè)hex固件的，只要地址不沖突就行，地址沖突會(huì)有提示的。

如果ch582m沒有讀保護(hù)配置的功能，那么WchIspStudio的代碼和數(shù)據(jù)保護(hù)模式是啥意思？

您好，可以理解為代碼和數(shù)據(jù)保護(hù)模式就是讀保護(hù)，使用isp燒錄是必須開啟的，否則無(wú)法燒錄；當(dāng)開啟兩線仿真時(shí)，代碼和數(shù)據(jù)保護(hù)模式默認(rèn)關(guān)閉。

使用 __HIGH_CODE 有什么缺點(diǎn)？在空間夠的情況下，可以所有程序都用 __HIGH_CODE 嗎？

調(diào)試時(shí)，看不見GPIO寄存器？

看了定時(shí)器部分，還是沒看懂。

對(duì)于R32_TMRx_FIFO，我的理解是每個(gè)定時(shí)器都有1個(gè)FIFO，1個(gè)FIFO有8個(gè)存儲(chǔ)空間，用R8_TMRx_FIFO_COUNT計(jì)數(shù)，計(jì)到8，RB_TMR_IF_FIFO_OV置一，然后下一次再FIFO指針再指向第1個(gè)地址，R8_TMRx_FIFO_COUNT也清零，RB_TMR_IF_FIFO_OV得程序清零，不自動(dòng)清零。

應(yīng)用于PWM，RB_TMR_PWM_REPEAT=0時(shí)，第一次產(chǎn)生波形，占空比由FIFO的第一個(gè)存儲(chǔ)空間的數(shù)決定，第2次產(chǎn)生波形，占空比由FIFO的第2個(gè)存儲(chǔ)空間的數(shù)決定，第8次產(chǎn)生波形，占空比由FIFO的第8個(gè)存儲(chǔ)空間的數(shù)決定，然后第9次產(chǎn)生波形，占空比再由FIFO的第一個(gè)存儲(chǔ)空間的數(shù)決定，以此類推。

我的疑問(wèn)：我只寫了一次R32_TMRx_FIFO，其它FIFO的存儲(chǔ)空間是復(fù)位值，那 2-8次產(chǎn)生波形的占空比就不是我想要的了？

若想產(chǎn)生多個(gè)占空比的波形，怎么寫FIFO 呢？能給個(gè)例程嗎？

清零RB_TMR_MODE_IN 對(duì)應(yīng) PWM 模式和定時(shí)模式，但PWM 模式和定時(shí)模式又靠那個(gè)設(shè)置區(qū)分呢？

定時(shí)模式計(jì)數(shù)到R32_TMRx_CNT_END后，是繼續(xù)從零計(jì)數(shù)，還是停止了？

串口的收發(fā)FIFO是獨(dú)立的還是共用的？

按手冊(cè)描述“串口接收數(shù)據(jù)超時(shí)中斷 UART_II_RECV_TOUT 是指接收 FIFO 中至少有一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，并且從上一次串口接收到數(shù)據(jù)和從上一次被系統(tǒng)取走數(shù)據(jù)開始，已經(jīng)等待了相當(dāng)于接收 4 個(gè)數(shù)據(jù)的時(shí)間?！?，不是實(shí)際線路接收的數(shù)據(jù)之間超過(guò)4個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)間沒接收到數(shù)據(jù)？

?必須 R8_UARTx_MCR 寄存器中的 RB_MCR_INT_OE 置一，相應(yīng)串口才能發(fā)出中斷？

禁用 FIFO (RB_FCR_FIFO_EN=0) 與設(shè)置FIFO 的中斷觸發(fā)點(diǎn)是1字節(jié)(RB_FCR_FIFO_TRIG=0)，有區(qū)別嗎？還是禁用 FIFO就不產(chǎn)生FIFO中斷了？